编辑：襄阳矿用变压器厂家 日期：2018-03-17 人气：168
工业领域的磁耦驱动新技术 ROHM的磁耦产物系列：而磁耦驱动经由过程自力的旌旗灯号传输及可节制的功率传输，防止了功率转换装备在分歧频次下的服从颠簸。合用于高频次的能量转换。
图1传统断绝襄阳矿用变压器电路和分立器件构成驱动原理图
ROHM公司推出的系列磁耦驱动芯片从输出旌旗灯号到驱动功率输入，旌旗灯号最大延时偏差约130nS。该机能根本满意了客户开辟200KHz之内的功率转换装备。相对如今广泛采纳的IGBT在20kHz的事情频次，开辟同功率产物的体积分量可以获得较着的改进。
近两年来，碳化硅质料(SiliconCarbride,SIC)进入利用范畴。SIC半导体具备宽禁带，高击穿电场，高饱和漂移速率和高热导率的优秀特征在鞭策产业范畴对功率装备在功率密度方面的反动。上面就随电源办理小编一块儿来领会一下相关形式吧。
近两年来，碳化硅质料(SiliconCarbride,SIC)进入利用范畴。SIC半导体具备宽禁带，高击穿电场，高饱和漂移速率和高热导率的优秀特征在鞭策产业范畴对功率装备在功率密度方面的反动。使用SICMOSFET替换IGBT可以进步功率管开关频次，从而低落功率装备中理性元件和容性原件的体积。使功率装备的体积减小到本来原理难以想象的境界。可是更高的频次，更高的功率密度，请求周边器件也能顺应更高的事情频次，在更宽的温度范畴以包管不乱的事情状况。ROHM在SIC成长最后阶段提出了可利用SIC产物使用的磁耦驱动产物，实时满意了SICMOSFET的驱动和通信的绝缘请求。
ROHM半导体(上海)有限公司计划中间司理顾伟俊
磁耦技能源自成熟的断绝襄阳矿用变压器驱动技能，经由过程将宏观级的无磁芯线圈埋置于芯片封装内，进步了电路集成度，并包管了产物机能的不乱。
芯片级磁耦的布局：
磁耦的特征：
1.磁耦没有机能衰减
相对现有光电耦合和电容耦合，磁耦没有老化的危害。
2.磁耦温漂很小
相对现有光电耦合和电容耦合，磁耦合产物更得当在大功率密度的产物中利用。
同时针对高频驱动，在电路上经由过程将功率电源与旌旗灯号分隔传输，满意了高频计划的请求。
以下图：
图2磁耦断绝驱动原理图
从图1和图2比拟可以发明，传统的断绝襄阳矿用变压器技能同时通报节制逻辑旌旗灯号和功率电源。彷佛服从很是高。可是在SIC利用场所，因为节制频次可以从6kHz-200kHz(SICMOSFET可以对应MHz的开关频次)，在如斯宽的频次变革范畴，襄阳矿用变压器对功率通报的服从会有很大的变革，酿成的结果是被动传输的前提下输入驱动电压会有很大的颠簸。这对现阶段的SICMOSFET的很是迟钝的Gate驱动电压范畴是很是致命的。参考图3.当驱动电压降低时，SICMOSFET的内阻会急剧增长，不可思议，产物服从会遭到很大的影响。
图3SICMOSFETModuleOn-resistanceVs.Vgs
同时针对付新的SICMOSFET利用，ROHM计划的磁耦输入电压范畴从本来原理的最大输入电压+20V进步到+30V耐压。SICMOSFET请求Gate驱动电压靠近20V。而SI工艺的SI大概IGBT驱动电压仅请求大于12V。
产业范畴的磁耦驱动新技能
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